Код ТН ВЭД ЕАЭС 8542 Схемы электронные интегральные

Изделия этой товарной позиции определены в примечании 8 (Б) к данной группе.
Электронные интегральные схемы и микросборки являются устройствами, имеющими высокую плотность пассивных и активных элементов или компонентов, которые рассматриваются как отдельные блоки. (В отношении элементов или компонентов, считающихся «пассивными» или «активными» см. пояснения к товарной позиции 8534, первый абзац). Однако электронные схемы, содержащие лишь пассивные элементы, исключаются из этой товарной позиции.
В отличие от электронных интегральных схем, дискретные компоненты могут иметь индивидуальную активную электрическую функцию (полупроводниковые приборы, определенные в примечании 8 (а) к группе 85) или индивидуальную пассивную электрическую функцию (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности). Дискретные компоненты являются неразъемными и представляют собой основные электронные структурные компоненты в системе.
Компоненты, состоящие из нескольких электрических схемных элементов, и имеющие множество электрических функций, такие как интегральные схемы, не считаются, однако, дискретными компонентами.
Электронные интегральные схемы включают запоминающие устройства (например, DRAMS, SRAMs, PROMS, EPROMS, EEPROMS (или E2PROMS)), микроконтроллеры, схемы управления, логические схемы, вентильные матрицы, интерфейсные схемы и т.д.
Электронные интегральные схемы включают:

(I) Монолитные интегральные схемы.
Они являются микросхемами, в которых схемные элементы (диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы, межсоединения и т.д.) образованы в массе (по существу) и на поверхности полупроводникового материала (легированного кремния, например), и поэтому неразъемно связаны. Монолитные интегральные схемы могут быть цифровыми, линейными (аналоговыми) или цифро–аналоговыми.
Монолитные интегральные схемы могут быть представлены, как:
(i) Собранные, то есть с выводами или соединительными проводниками, безотносительно к тому, помещены ли они или нет в керамику, металл или пластмассу. Оболочки могут быть цилиндрическими, в форме параллелепипедов и т.д.
(ii) Не собранные, то есть как чипы, обычно прямоугольной формы, со сторонами, имеющими размер обычно несколько миллиметров.
(iii) В виде не разрезанных на кристаллы пластин (то есть в виде не разрезанных на чипы).
Монолитные интегральные схемы включают:
(i) Металл–оксидные полупроводники (МОП–технология)
(ii) Схемы, получаемые биполярной технологией.
(iii) Схемы, получаемые сочетанием биполярной и МОП–технологии (БИМОП–технология).
Металл–оксидный полупроводник (МОП), особенно дополнительный металл–оксидный полупроводник (ДМОП) и биполярные технологии являются «родовыми» технологиями в производстве полупроводников. В качестве основных компонентов монолитных интегральных схем эти транзисторы придают интегральным схемам их отличительные признаки. Биполяр­ные схемы предпочтительны для систем, где необходимо максимальное быстродействие в логических операциях. С другой стороны МОП–схемы предпочтительны для систем, в которых требуется высокая плотность компонентов и низкое потребление энергии. ДМОП–схемы имеют самые низкие требования по мощности. Таким образом, они желательны в случаях, когда обеспечение питанием ограничено или когда может потребоваться охлаж­дение схемы. Дополнительное сочетание биполярной и МОП технологий реализуется в БИДМОП технологии, которая сочетает скорость биполярных схем с высокой степенью интеграции и малым потреблением энергии ДМОП схем.

(II) Гибридные интегральные схемы.
Они являются микросхемами, образованными на изоляционной подложке, на которой была образована тонко– или толстопленочная схема. Этот процесс дает возможность получить в то же самое время некоторые пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, разводки и т.д.). Однако чтобы стать гибридной интегральной схемой этой товарной позиции, полупроводники должны быть встроены и установлены на поверхности или в виде чипов, безотносительно к тому, есть у них оболочка или нет, или как помещенные в оболочку полупроводники (например, специально спроектированные миниатюрные оболочки). Гибридные интегральные схемы могут также содержать образованные отдельно пассивные элементы, которые встроены в основную пленочную схему таким же образом, как и полупроводники. Обычно эти пассивные элементы составляют такие компоненты, как конденсаторы, резисторы или индуктивности в виде чипов.
Подложки, образованные из нескольких слоев, обычно керамических, термосвязанных вместе для образования компактной сборки, должны рассматриваться в качестве единой подложки в пределах значения примечания 8 (б) (ii) к этой группе.
Компоненты, образующие гибридную интегральную схему, должны быть объединены неразъемно для всех целей и областей применения, то есть, хотя некоторые из элементов можно было бы теоретически удалить и заменить, это представляло бы длительную и кропотливую работу, являющуюся не экономичной в нормальных производственных условиях.

(III) Многокристальные интегральные схемы.
Они состоят из двух или более взаимосвязанных интегральных схем, неразъемно объединенных для всех целей и областей применения, независимо от того, имеют ли они одну или больше изолирующих подложек и снабжены они рамкой с внешними выводами, или нет, но не имеющие других активных или пассивных схемных элементов.
Многокристальные интегральные схемы обычно представлены в следующих формах:
–Две или более монолитных интегральных схемы, соединенные между собой «сторона к стороне»;
–Две или более монолитных интегральных схемы, установленные одна на другую;
–Комбинации описанных выше конфигураций, состоящие из трех или более монолитных интегральных схем.
Эти монолитные интегральные схемы совмещены и связаны в единый блок и могут быть объединены в модуль путем герметизации или другим способом. Компоненты, образующие гибридную интегральную схему, должны быть объединены неразъемно для всех целей и областей применения, то есть, хотя некоторые из элементов можно было бы теоретически удалить и заменить, это представляло бы длительную и кропотливую работу, являющуюся неэкономичной в нормальных производственных условиях.
Изолирующие подложки многокристальных интегральных схем могут иметь области электрической проводимости. Эти области могут состоять из особых материалов или иметь особую форму, чтобы обеспечивать пассивные функции другими средствами, чем дискретные схемные элементы. Там, где области проводимости представлены на подложке, они обычно рассматриваются как средства, которыми монолитные интегральные схемы связаны. Эти подложки могут также упоминаться как «платы–переходники» (interposers) или «разделители» (spacers), когда они помещаются над нижней микросхемой или кристаллом.
Монолитные интегральные схемы соединяются между собой различными средствами, такими, как адгезивы, проволочные соединения, или посредством технологии «перевернутого кристалла» («flip chip»).
Из этой товарной позиции исключаются пленочные схемы, состоящие лишь из пассивных элементов (товарная позиция 8534).
В данную товарную позицию не включаются твердотельные энергонезависимые устройства хранения информации, «интеллектуальные карточки» и прочие средства для записи звука или других явлений (см. товарную позицию 8523 и примечание 4 к данной группе).
°
° °
За исключением комбинаций (для всех целей и областей применения, являющихся неразъемными), на которые делалась ссылка в части (II) и (III) касательно гибридных интегральных схем и многокристальных интегральных схем, из данной позиции также исключаются сборки, образованные:
(а) установкой одного или более дискретных компонентов на опоре, образованной, например, печатной схемой
(б) добавлением к электронной микросхеме одного или более других приборов, таких как диоды, трансформаторы, резисторы; или
(в) сочетаний дискретных компонентов или сочетаний электронных микросхем, за исключением интегральных микросхем многокристального типа.
Такие сборки классифицируются следующим образом:
Сборки, образующие законченную машину или оборудование (или объект, рассматриваемый как законченный), включаются в товарную позицию, относящуюся к машине или оборудованию;
Другие сборки — в соответствии с положениями о классификации частей машин (примечания 2 (б) и 2 (в) к разделу XVI, в частности).
Это случай, в частности, для некоторых электронных модулей памяти (например,SIMMs (Single In–line Memory Modules) и DIMMs (Dual In–line Memory Modules)). Эти модули должны классифицироваться в соответствии с примечанием 2 к разделу XVI. (См. Общие положения пояснений к данной группе).
Части
В соответствии с общими положениями, касающимися классификации частей (см. Общие положения пояснений к разделу XVI), части товаров этой товарной позиции классифицируются тут же.
°
° °
Пояснения к подсубпозициям
Данная товарная позиция включает модули предварительно программируемых запоминающих устройств в виде монолитных интегральных схем для электронных преобразователей, классифицируемых в подсубпозициях 8470 10 000 1 – 8470 10 000 9 и 8543 70 150 0.
Данная товарная позиция не включает диски (иногда называемые полупроводниковыми пластинами), которые, в целях их применения в области электроники содержат легирующие химические элементы, независимо от того, отполированы они или нет и имеют эпитаксиальное покрытие или не имеют, при условии, что они не были выборочно легированы или не были подвергнуты диффузии для создания дискретных областей (товарная позиция 3818 00).
8542 31 100 0 – 8542 31 900 9
Данные подсубпозиции включают:
1.Микропроцессоры, также называемые микропроцессорными устройствами, представляющие собой интегральные схемы, которые могут быть определены как устройства, которые выполняют функции исполнения первичных команд и функции управления системой. Они состоят из следующих основных частей:
–арифметического логического устройства (ALU);
–декодера команд и счетчика команд;
–управляющего блока;
–устройство ввода/вывода (I/O) для связи с другими устройствами.
Микропроцессор способен работать только при условиииспользования внутренней и внешней памяти или другого устройства.
Они могут иметь одно или несколько микропрограммных запоминающих устройств (оперативное запоминающее устройство (RAM) или постоянное запоминающее устройство (ROM)) для загрузки или хранения микрокоманд, таким образом увеличивая число первичных инструкций в управляющем модуле.
ПЗУ с микропрограммой, которое может иметь микропроцессор, предназначено для хранения базовых команд в двоичном коде и не может рассматриваться в качестве реальной программной памяти, хранящей команды, подлежащие выполнению.
Эти устройства могут содержать кэш–память команд или выполнять функции микропериферийных устройств.
Сюда включаются микропроцессоры, всецело предназначенные для выполнения определенной прикладной функции, выполненные по требованию заказчика, на базе «вентильных матриц» или «стандартных элементов».
Разрядность микропроцессора определяется длиной каждого слова, которое арифметическое логическое устройство может обработать в одном микропрограммном цикле.
2.Микроконтроллеры и микропроцессоры — это интегрированные схемы, состоящие, по крайней мере, из следующих основных частей:
–микропроцессора, также называемого микропроцессорным блоком (MPU).
–программное запоминающее устройство (например, оперативное запоминающее устройство (RAM), постоянное запоминающее устройство (ROM), постоянное программируемое запоминающее устройство (PROM), стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство (EPROM), электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство (E2PROM), флеш–E2PROM), в сочетании с декодером (дешифратором) команд и содержащая программу, определяющую последовательность команд.
–память для хранения данных (например, оперативное запоминающее устройство (RAM) или электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство (E2PROM)), в отличие от микропроцессоров доступ к которой с других интегральных схем невозможен.
–внешняя шина (канал) (для данных, адресов и команд).
Микроконтроллеры запрограммированы заранее или программируются впоследствии для выполнения специальных функций или для конкретного применения (например, для телевизионных приемников, видеозаписывающей или воспроизводящей аппаратуры или микроволновых печей).
Микрокомпьютеры могут работать независимо (отдельно) или применяться для общего пользования (например, универсальные ЭВМ, миникомпьютеры и персональные компьютеры). Микрокомпьютеры можно запрограммировать в соответствии с требованиями пользователя.
Сюда включаются микроконтроллеры, всецело предназначенные для выполнения специальной прикладной функции, изготовленные по требованию заказчика, на «вентильных матрицах» или на «стандартных элементах».
Разрядность микроконтроллера или микрокомпьютера определяется длиной каждого слова, которое арифметическое логическое устройство может обработать в простом микропрограммном цикле.
3.Схемы управления, которые представляют собой интегральные схемы, используемые, чтобы оказывать воздействие на работу машины (например, вычислительную машину). Схемы управления (например, для дисковых накопителей, запоминающих устройств, электрических двигателей или электронно–лучевых трубок) обычно могут интерпретировать сигналы, и, в соответствии с интерпретацией, определять время и последовательность выполнения определенных функций (например, ввод, обработка, хранение и вывод в вычислительных машинах).
8542 31 100 0
См. пояснения к товарной позиции 4582 (III).
8542 32 100 1 – 8542 32 100 9
См. пояснения к товарной позиции 4582 (III).
8542 32 200 0
Кеш–память прямого доступа — это статические устройства памяти прямого доступа со временем обращения меньшим, чем у основной памяти. Кеш–память прямого доступа обычно используется как временная буферная память для согласования быстродействия оперативной и основной памяти.
8542 32 310 0 – 8542 32 390 0
Электрически стираемые перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства (ЭСППЗУ) — это обычно память, стираемая побайтно.
Флеш–ЭСППЗУ это устройства памяти также называемые «флеш–память», флеш–ЭСППЗУ, или ППЗУУФС.
Флеш–запоминающие устройства могут быть основаны на ЭСППЗУ или ППЗУУФС технологиях и являются электрически стираемыми либо целиком, либо по секторам.
Программирование, считывание или стирание в этих типах памяти может осуществляться при двойном питании или обычном питании.
Флеш–память, основанная на технологии ППЗУУФС имеет матричную структуру в сочетании с одним транзисторным элементом.
Флеш–память, основанная на технологии ЭСППЗУ имеет матричную структуру в сочетании с двумя или более транзисторными элементами или с одним транзисторным элементом в сочетании с другим транзистором в одном секторе (странице или блоке). Последний тип еще более отличается от памяти на ППЗУУФС технологиях, так как они содержат ряд элементов с характеристиками ЭСППЗУ элементов (например, набор команд ЭСППЗУ).
8542 32 410 1 – 8542 32 410 9
Данная подсубпозиция включает запоминающие устройства с адресацией и сегнетоэлектрические запоминающие устройства.
Запоминающие устройства с адресацией — это устройства ассоциативные по их содержанию. Адрес ячейки памяти таких устройств определяется по их содержанию или по части их содержания, а не по их имени или местоположению (адресу).
Сегнетоэлектрическая память является энергонезависимой памятью, полученной комбинацией сегнетоэлектрического и полупроводникового материала. Сегнетоэлектрический материал может сохранять электрическую поляризацию при отсутствии воздействия электрического поля.
Эти устройства как электрически программируемы, так и электрически стираемы.
8542 39 100 0 – 8542 39 900 9
Данная подсубпозиция включает:
1.Целиком и полностью заказные логические схемы, которые определяются и производятся для одного пользователя. Процесс производства включает маршрутизацию и размещение ячеек (логических узлов), используя полностью заказные диффузионные маски. Полностью заказные логические схемы разрабатываются для выполнения специфических функций. Они известны, как прикладные специфические интегральные схемы;
2.Логические матрицы являются интегральными логическими схемами, состоящими из постоянных и конкретных логических элементов (транзисторные ячейки, например для логических узлов И, НЕ–И, ИЛИ, НЕ–ИЛИ). Логические матрицы программируются в соответствии с определенными пользователем взаимными соединениями этих логических элементов, одним или более металлизированным шаблоном;
3.Стандартные ячейки, которые представляют собой интегральные логические схемы на стандартных элементах, состоящие из определенного пользователями построения элементарных схем и фиксированных элементарных схем. Эти элементарные схемы могут выполнять любую интегрированную функцию (например, логическую функцию или функцию памяти);
4.Программируемые логические схемы являются интегральными логическими схемами, состоящими из фиксированных логических элементов. Функция, выполняемая этими схемами, определяется пользователем установления связей или программированием взаимных связей между логическими элементами.
5.Стандартные логические схемы, которые представляют собой интегрированные логические схемы, состоящие из менее 150 логических вентилей (например, И, НЕ–И, ИЛИ, НЕ–ИЛИ). Эти устройства могут интегрировать несколько функций или наборов идентичных или независимых функций;
6.Интерфейсные схемы, которые являются интегральными схемами, выполняющими функцию связи (например, путем преобразования кода, преобразования последовательной передачи битов в параллельное или путем синхронизации) для взаимосвязи между программами, интегральными схемами, периферийными устройствами или системами с различными характеристиками.
7.Микропериферийные устройства, которые представляют собой интегральные схемы, выполняющие специальные функции в дополнение к работе микропроцессоров, микроконтроллеров и микрокомпьютеров и улучшающие их внешнюю связь, возможности управления и интерфейса.
Технические параметры микропериферийного устройства ясно указывают на его отношение и назначение по отношению к микропроцессору, микроконтроллеру и микрокомпьютеру.
Устройства связи, контроля и интерфейса могут состоять из шинных (канальных) контроллеров, контроллеров памяти (контроллеры динамических оперативных запоминающих устройств, блоки управления памятью, контроллеры с прямым доступом к памяти) или из контроллеров периферийного интерфейса (графические контроллеры, контроллеры локальной сети, контроллеры универсального асинхронного приемника/передатчика, контроллеры клавиатуры, контроллеры памяти большой емкости (накопителей информации)).
8.Интеллектные силовые схемы, которые представляют собой интегральные аналоговые схемы, которые совмещают цифровые и аналоговые схемы (силовые транзисторы), осуществляющие управление логическими выходными сигналами и силовыми выходными сигналами. Эти устройства могут обеспечивать, например, защиту от внутреннего рассеяния мощности, защиту от ошибок и неисправностей или диагностические функции.
В данную подсубпозицию не входят программируемые только считываемые запоминающие устройства (подсубпозиции 8542 32 410 1 – 8542 32 410 9).
8542 39 100 0
См. пояснения к товарной позиции 4582 (III).